UV LED概述

紫外线LED通常是指发光中心波长低于400nm的LED，但当发光波长大于380nm时有时称为近紫外线LED，而短于300nm时则称为深紫外线LED。 由于短波光具有很高的杀菌作用，紫外线LED通常用于冰箱和家用电器的杀菌和除臭[1]。
就产品而言，日亚化学工业推出了发射中心波长在365nm至385nm范围内的品种，而Nitride Semiconductor推出了发射中心波长在355nm至375nm之间的品种。
波长小于300nm的深紫外LED的开发活动也很活跃。 2008年，物理化学研究所和松下电工株式会社宣布，使用GaN半导体的InAlGaN已开发出深紫外LED，其中心波长为282nm，光输出为10mW。 就较短波长的深紫外LED而言，NTT物理科学技术学院使用AlN材料开发了一种中心发射波长为210nm的深紫外LED。
紫外线LED（UVLED）主要用于生物医学，防伪识别，净化（水，空气等），计算机数据存储和军事领域。 随着技术的发展，新的应用将继续取代原来的技术和产品。 UV LED具有广阔的市场应用前景。 例如，UV LED光疗是未来非常流行的医疗设备，但当前的技术仍处于增长期。
国产UV LED的发展状况
国家“十一五” 863计划“半导体照明项目”，新材料技术领域的重大项目，“深层UV LED的制备及应用技术研究” 已经进行了持续的研究，并且属于高铝领域。在材料研究和设备应用方面取得了重大突破。
半导体深紫外光源在照明，消毒，医疗，印刷，生化测试，高密度信息存储和机密通信中具有巨大的应用价值。 以AlGaN材料为有源区的深紫外LED的发光波长可以覆盖210-365nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的理想材料，具有其他优点。 传统的紫外线光源无法比拟。
在国家863计划的支持下，研究团队专注于基于MOCVD的深紫外LED材料和器件的研究，着重于解决表面裂纹，晶体质量差，铝成分低以及无法实现短路的问题。 波长光发射。 在结构材料设计等问题上，一些关键技术取得了突破，获得了晶体质量高，无裂纹的高铝成分材料。 在此基础上，受试者在中国首次成功地在中国制备了300nm以下的深紫外LED装置，达到了装置的毫瓦级功率输出，并开发了深紫外杀菌模块。 灭菌率达到95？

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